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Si4427BDY
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 30
R DS(on) ( Ω )
0.0105 at V GS = - 10 V
0.0125 at V GS = - 4.5 V
0.0195 at V GS = - 2.5 V
I D (A)
- 12.6
- 11.5
- 9.2
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
G
S
Top View
Ordering Information: Si4427BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4427BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
- 30
± 12
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
- 12.6
- 10.1
- 50
- 9.7
- 7.7
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 2.5
- 1.3
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
2.5
1.6
- 55 to 150
1.5
0.9
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
40
70
15
50
85
18
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 72295
S09-0764-Rev. D, 04-May-09
www.vishay.com
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